Электронные свойства дислокаций в полупроводниках

Автор:В. Тимофеев,С. Шевченко,Юрий Осипьян,С. Бредихин,В. Кведер,Н. Классен,В. Негрий,Виктор Петренко,И. Смирнова,С. Шмурак,Э. Штейнман

Издательство:Едиториал УРСС (URSS)

Страниц:320

Год:2000

Обложка:Твердый переплет

Размер:60x88/16

SKU:RU342191

ISBN:9785836000684

Наша цена:US $76.00

Отправляется через 16-24 дня

Описание

Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокаций в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокаций в полупроводниках.В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокаций на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокаций с другими дефектами и примесями.Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.